Electronics Engineering

คำอธิบายของ Electronics Engineering

เป้าหมายของ App นี้✴Theคือการให้ข้อมูลพื้นฐานเกี่ยวกับวงจรอิเล็กทรอนิกส์ App นี้ให้ข้อมูลพื้นฐานเกี่ยวกับวิธีการใช้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และอธิบายตรรกะที่อยู่เบื้องหลังการออกแบบวงจรของรัฐที่มั่นคง เริ่มต้นด้วยการแนะนำให้ฟิสิกส์เซมิคอนดักเตอร์บทย้ายไปครอบคลุมหัวข้อเช่นตัวต้านทานตัวเก็บประจุตัวเหนี่ยวนำหม้อแปลงไดโอดและทรานซิสเตอร์ บางส่วนของหัวข้อและวงจรที่สร้างขึ้นด้วยส่วนประกอบที่กล่าวถึงในนี้App.✴ |
►This App ควรจะเป็นประโยชน์สำหรับผู้อ่านทุกคนที่ต้องการที่จะได้รับความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับองค์ประกอบพื้นฐานที่ใช้ในการcircuits.✦อิเล็กทรอนิกส์
【หัวข้อที่ครอบคลุมใน App นี้อยู่ด้านล่าง】 |
⇢อิเล็กทรอนิกส์คืออะไร? |
⇢วัสดุ |
⇢เบอร์ควอนตัม |
⇢ Pauli ยกเว้นหลักการ |
⇢วงพลังงาน |
⇢ช่องว่างต้องห้าม |
⇢อินซูเลเตอร์ |
⇢อุปกรณ์กึ่งตัวนำ |
⇢ตัวนำ |
วง⇢พลังงานข้อตกลงสำคัญ |
⇢กฎของโอห์ม |
⇢อุปกรณ์กึ่งตัวนำ |
⇢การนำอุปกรณ์กึ่งตัวนำใน
หน้า⇢ Intrinsic อุปกรณ์กึ่งตัวนำ |
⇢ภายนอกเซมิคอนดักเตอร์ |
⇢ Hall Effect |
⇢ประเภทของ Currents |
⇢ตัวต้านทาน |
⇢ตัวต้านทานรหัสสี |
⇢ตัวต้านทานข้อตกลงที่สำคัญดาวน์โหลด การเชื่อมต่อ
⇢วงจรตัวต้านทาน |
⇢ตัวต้านทานในแบบคู่ขนาน |
⇢ Non-เชิงเส้นตัวต้านทาน |
⇢ Thermistor |
⇢ photoresistor
⇢วาริสเตอร์ฟรี
⇢ Surface Mount |
⇢เชิงเส้นตัวต้านทาน |
⇢ตัวต้านทานคง |
⇢องค์ประกอบคาร์บอน |
⇢ลวดแผล |
⇢หนา ภาพยนตร์ |
⇢ Thin Film |
⇢วัตต์ |
⇢ Capacitors |
⇢ทำงานของ Capacitor |
⇢การชาร์จไฟของตัวเก็บประจุ
⇢พฤติกรรมอิเล็กทริกของตัวเก็บประจุ |
⇢ Capacitor รหัสสี |
⇢ Capacitive Reactance |
⇢ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของตัวเก็บประจุ |
⇢การเชื่อมต่อวงจรในตัวเก็บประจุ |
⇢ตัวเก็บประจุในแบบคู่ขนาน |
⇢ประเภทของตัวเก็บประจุ |
⇢เก็บประจุตัวแปร |
⇢จูนตัวเก็บประจุ |
⇢ Trimmer Capacitors ฟรี
⇢คงเก็บประจุ |
⇢ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก |
⇢เก็บประจุแบบฟิล์ม |
⇢กระดาษเก็บประจุ |
⇢ฟิล์มโลหะตัวเก็บประจุ |
⇢ ตัวเก็บประจุแบบอื่น ๆ
⇢ Polarized Capacitors |
⇢ Electrolytic Capacitors |
⇢ลูมิเนียม Electrolytic Capacitors |
⇢แทนทาลัมตัวเก็บประจุ Electrolytic |
⇢ไนโอเบียม Electrolytic Capacitors |
⇢ซุปเปอร์ Capacitors |
⇢ดับเบิล layere d เก็บประจุ |
⇢ Pseudo Capacitors |
⇢ตัวเก็บประจุแบบไฮบริด |
⇢ตัวนำกระแส |
⇢ทำงานของ Inductor |
⇢เหนี่ยวนำ
⇢ตนเองเหนี่ยวนำ
หน้า⇢รวมตัวเหนี่ยวนำ
ปัจจัยที่มีผลกระทบต่อตัวเหนี่ยวนำ⇢ |
⇢ค่าสัมประสิทธิ์ของการ Coupling |
⇢การเชื่อมต่อวงจรในตัวนำกระแสไฟฟ้าฟรี
⇢ตัวนำกระแสในขนาน |
⇢อุปนัย Reactance |
⇢ประเภทของตัวนำกระแส |
⇢คลื่นความถี่วิทยุ |
⇢โช้ก |
⇢ หม้อแปลง |
⇢ step-up และขั้นตอนลงหม้อแปลง |
⇢ประเภทของหม้อแปลง |
⇢ Air-core หม้อแปลง |
⇢แกนเหล็กหม้อแปลง
⇢ Auto Transformer |
⇢หม้อแปลงขึ้นอยู่กับการใช้งาน |
⇢วัดหม้อแปลง |
⇢จัดจำหน่ายหม้อแปลง |
⇢หม้อแปลงประสิทธิภาพ
หน้า ⇢ชักนำให้เกิด EMF ในหม้อแปลง |
⇢สูญเสียในหม้อแปลง |
⇢พลังของหม้อแปลง |
⇢ประสิทธิภาพของหม้อแปลง |
⇢ไดโอด
⇢การให้น้ำหนักของไดโอด |
⇢ทำงานภายใต้ Forward ลำเอียง |
⇢ทำงานภายใต้การพลิกกลับ อีลำเอียง |
⇢วัตถุประสงค์ของการไดโอด |
⇢ลักษณะของไดโอด |
⇢สนธิไดโอด |
⇢ Rectifier Diode |
⇢ซีเนอร์ ไดโอด |
⇢ Switching Diode |
⇢วัตถุประสงค์พิเศษไดโอด |
⇢อุโมงค์ไดโอด |
⇢ Schottky Diode |
⇢ Optoelectronic ไดโอดฟรี
⇢โอด |
⇢เซลล์แสงอาทิตย์ |
⇢ LED (Light Emitting Diodes) |
⇢เลเซอร์ไดโอด |
⇢หลักการของเลเซอร์ไดโอดฟรี
⇢ทรานซิสเตอร์ |
⇢ Constructional รายละเอียดของทรานซิสเตอร์ |
⇢ทรานซิสเตอร์ให้น้ำหนัก |
⇢การดำเนินงาน PNP ทรานซิสเตอร์ |
⇢การดำเนินงาน NPN ทรานซิสเตอร์
การตั้งค่า⇢ทรานซิสเตอร์ |
⇢สามัญ Emitter (CE) การกำหนดค่า |
⇢สามัญสะสม (CC) การกำหนดค่า |
⇢ทรานซิสเตอร์ภูมิภาคของการดำเนินงาน |
⇢ทรานซิสเตอร์ โหลดวิเคราะห์สายประเภท |
⇢ของทรานซิสเตอร์ |
⇢ Bipolar Junction ทรานซิสเตอร์ |
⇢สนามผลทรานซิสเตอร์ |
⇢สนธิสนามผลทรานซิสเตอร์ |
⇢ท่อระบายน้ำลักษณะของ JFET |
⇢ MOSFET |
⇢ก่อสร้าง MOSFET |
⇢การจำแนกประเภทของ MOSFETs |
⇢ก่อสร้าง N- ช่อง MOSFET |
⇢ทำงานของ N - ช่อง (โหมดพร่อง) MOSFET |
⇢ทำงาน N-ช่อง MOSFET (โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ) |
⇢ P - ช่อง MOSFET |
⇢ท่อระบายน้ำลักษณะ |
⇢เปรียบเทียบระหว่าง BJT, FET และ MOSFET |
⇢ สำคัญวิเคราะห์ |
⇢ตาข่ายวิเคราะห์ |
⇢ 14 เทเวอแน็และ Norton วงจรเทียบเท่า