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Diese nützliche App listet 290 Themen in 5 Kapiteln, die total auf praktischer Ebene basieren, sowie eine starke Basis des theoretischen Wissens mit Notizen, die in sehr einfachen und verständlichen Englisch geschrieben sind.
Berücksichtigen Sie diese App als schnelle Anmerkungsanleitung Welche Professoren verwenden in einem Klassenzimmer. Die App hilft beim schnelleren Lernen und schnellen Änderungen aller Themen.
Einige der in der App enthaltenen Themen sind:
1. Ideale Diode
2. Halbleitermaterialien- Widerstand.
3. Halbleitermaterialien GE und SI
4. Energieniveaus
5. Extrinsische Materialien n-Typ
6. Extrinsische Materialien P-Typ
7. Elektronen gegen Lochfluss und 8. Mehrheit und Minderheitenförderer
9. Halbleiterdiode
10. P-n-Kreuzung ohne externe BIAS
11. P-N-Kreuzung mit Reverse-BIAS-Zustand
12. P-N-Kreuzung mit Vorwärtsvorspannungsbedingung
13. Silizium Halbleiterdiodeneigenschaften
14. Zener-Region
15. Allgemeine Merkmale einer Halbleiterdiode - 16. Temperatureffekte Siliziumdiode
17. DC oder statische Beständigkeit
18. Wechselstrom- oder dynamische Beständigkeit
19. Durchschnittliche Wechselstromfestigkeit 20. Diodenäquivalente Schaltkreise-stückweise-linearer Äquivalentkreislauf - Vereinfachte äquivalente Schaltung für die Silizium-Halbleiterdiode 22. Übergangs- und Diffusionskapazität
23. Reverse Recovery Time
24. Leuchtdioden
25. Lastlinie Analyse
26. Diodenanzeigen
27. Serie Diodenkonfigurationen mit DC-Eingängen
28. Halbwellengleichrichter
29. Wirkung von VT auf ein halbwellengewichtiges Signal und 30. Peak Inverse-Spannung PIV (PRV).
31. Full-Wave-Rektifikation-Bridge-Netzwerk
32. Peak Inverse Voluming Piv-Bridge-Netzwerk
33. Center-Tape-Transformator
34. Center-Tape-Transformator-PIZ
35. Serie-Clippers
36. Parallel-Vorspann-Clipper
37. Klemme
38. Zenerdioden
39. Zenerdioden- Fixed VI, Variable RL
40. Zenerdioden- Fixed RL, Variable VI
41. Halfwave-Spannungsdopper
42. Vollwellenspannungsdopper
43. Spannungsteiler und Quadrichter
44. Einführung in Transistor Vorspannung
45. Richtiger Null-Signalsammler-Strom
46. Ordnungsgemäße minimale Basis-Emitter-Spannung
47. Ordnungsgemäß einwandfreies Mindest-VCE an jedem Augenblick von 48. Arbeitspunkt
49. Stabilisierung.
50. Stabilitätsfaktor
51. Transistor-Vorspannungs-Base-Widerstandsmethode
52. Transistor-Vorspannungs-Emitter-Vorspannungskreislauf 53. Emitter-BIAS-Kollektor-Kollektorstrom (IC).
54. Emitter-BIAS-Kollektor-Emitter-Spannung (VCE).
55. Emitter-BIAS-Kreislaufstabilität
56. Vorspeisen mit Kollektor-Rückkopplungswiderstand
57. Spannungsteiler-Vorspannungsverfahren.
58. Gestaltung von Transistor-Vorspannkreisläufen
59. Mittelleite Vorspannung
60. Oszillatoren
61. Operationsverstärker
62. Transistor Vorspannung
63. Feldeffekttransistoren
64. Regulierte Stromversorgung
65. Signale und mehrstufige Verstärker
66. Transistoren bei hohen Frequenzen
67. Bipolartransistor
68. Bipolar-Transistor-Kreuzung Vorspannung
69. Beziehung zwischen verschiedenen Strömen in einem Transistor und 70. BJT-Common Base-Konfiguration
71. BJT-Common Base-Konfigurationsausgabe-Eigenschaften
72. BJT-Common Base Configuration- Input Charakteristik
73. Ersatzschaltung eines Transistors: (gemeinsame Basis)
74. Gemeinsamer Basisverstärker
75. Gemeinsamer Basisverstärker-AC-Ersatzkreis
76. BJT-Common Emitter-Konfiguration
77. BJT- Common Emitter Configuration- Input Charakteristik:
78. BJT-Common Emitter-Konfigurationsausgabe-Charakteristik:
79. Common Emitter-Konfiguration-große Signal-Stromvergärme
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