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Certains des sujets abordés dans l'application sont:
1. Diode idéale
2. Matériaux semi-conducteurs - Résistivité.
3. Matières semi-conductrices GE et SI
4. Niveaux d'énergie
5. Matériaux extrinsèques N-Type
6. Matériaux extrinsèques de type P
7. Débit d'électrons versus du trou 8. Compagnies majoritaires et minoritaires
9. Diode Semiconductor
10. P-n jonction sans polarisation externe
11. P-N Junction avec condition de polarisation inverse sur 12. Jonction P-N avec condition de biais avant 13. Caractéristiques de la diode Silicon Semiconductor
14. Région Zener
15. Caractéristiques générales d'une diode semi-conductrice
16. Effets de la température Diode de silicium
17. DC ou résistance statique
18. AC ou Résistance dynamique
19. Résistance moyenne de l'AC
20. Circuits équivalents diodes - Circuit équivalent linéaire par morceaux 21. Circuit équivalent simplifié pour la diode Semiconductor de silicium
22. Capacité de transition et de diffusion
23. Durée de récupération inversée
24. Diodes émettrices de lumière
25. Analyse de la ligne de charge 26. Approximations de la diode
27. Configurations de la diode série avec entrées CC
28. Rectifier demi-onde
29. Effet de VT sur le signal rectifié à demi-onde
30. PIV INSVERS DE POINT (PRV).
31. Réseau de rectification de la rectification à ondes complétés de 32. Network Piv-Bridge PIV de la tension inverse maximale 33. Transformateur à tarte central
34. Transformateur au centre-PIV sur 35. Série-Clippers
36. CLIPPER PARALLE-BIAIÉE
37. Pinces de pince à 38. Diodes Zener
39. Zener Diodes- Correction de VI, Variable RL
40. Zener Diodes - RL fixe, variable VI
41. Double Tension demi -Wave - 42. Double de tension pleine ondes 43. Triple de tension et quadrupler
44. Introduction au biais de transistor
45. Courant de collecteur de signal zéro approprié
46. Voltage minimum de base-émetteur à 47. Dépassement minimum de VCE à tout instant
48. Point de fonctionnement
49. Stabilisation.
50. Facteur de stabilité
51. PROCÉDÉ DE BASE DE BASES DE BASES DE TRANSISTOR
52. Circuit de biais de biais de transistor - Circuit de biais d'émetteur 53. Courant de collecteur de circuit de biais d'émetteur (IC).
54. Tension de prise de circuit de circuit-émetteur-émetteur-authentifiant (VCE).
55. Stabilité du circuit biais d'émetteur 56. Périaterie avec résistance de retour de collecteur
57. Méthode de biais de division de tension.
58. Conception de circuits de biais de transistor
59. Pélicité à mi-ponte
60. Oscillateurs
61. Amplificateurs opérationnels
62. Pélicité du transistor
63. Transistors à effet de champ
64. Alimentation réglementée
65. Signaux et amplificateurs à plusieurs étages
66. Transistors à hautes fréquences
67. Transistor bipolaire
68. Biaké de croisement du transistor bipolaire
69. Relation entre différents courants dans un transistor
70. Configuration BJT-Common Base
71. CARACTÉRISTIQUES DE CONFIGURATION DE LA CONFIGURATION DE BASE DE BASE BJT - 72. Configuration de la base BJT-commune - Caractéristiques d'entrée de l'entrée 73. Circuit équivalent d'un transistor: (base commune)
74. Amplificateur de base commun à 75. Circuit équivalent d'amplificateur d'amplificateur de base commun à 76. Configuration de l'émetteur BJT-commune
77. BJT- Configuration de l'émetteur commun - Caractéristique d'entrée:
78. Caractéristiques de sortie de la configuration de l'émetteur BJT-commune:
79. Configuration commune de la configuration de l'émetteur-Large Signal Current Gain
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